RH6R025BHTB1 与 BSZ900N15NS3 G 区别
| 型号 | RH6R025BHTB1 | BSZ900N15NS3 G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A32-RH6R025BHTB1-1 | A-BSZ900N15NS3 G | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 59W | 38W | ||||
| 上升时间 | - | 4ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 7nC | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 6S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 8ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 25A | 13A | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||
| 长度 | - | 3.3mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 8V,10V | ||||
| 下降时间 | - | 3ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 60mΩ@25A,10V | 74mΩ | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 510pF @ 75V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 20µA | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 7nC @ 10V | ||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 849 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 60mΩ@25A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 25A |
￥8.6224
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849 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSZ900N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 150V 13A 74mΩ 20V 38W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSZ520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 150V 21A 42mΩ 20V 57W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SISA88DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
16.2A(Ta),40.5A(Tc) N-Channel 6.7 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
￥2.964
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5,795 | 对比 |
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